Classificació de Targetes de polvorització de catròs de magnetrons
Jun 08, 2018| El blanc de l'espurrie de Magnetron és un component mecànic de revestiment al buit, i també un component electrònic de potència. Des de la perspectiva de l'ús de la font d'alimentació, estem més preocupats pel seu rendiment elèctric.
1. Segons estructura mecànica
Segons l'estructura mecànica i la forma de destí, l'objectiu de l'espurna de magnetó es divideix principalment en blancs (rectangulars o circulars) de magnetrons, objectius coaxials de magnetrons coercitius, blancs de magnetrons cònics en forma d'anells (pistola S) i molts altres.
2. Segons els materials objectiu planars
L'objectiu planar es divideix en un objectiu de magnetron rectangular planar, un objectiu de magnetron circular planar i un objectiu planar estructural compost de doble propòsit arc-magnetron.
3. Segons el camp magnètic
(1) Els objectius del magnetó es poden classificar en imants permanents i electroimanes segons el mode de formació del camp magnètic.
(2) Segons la diferència en la posició d'arranjament i distribució de l'objectiu del magnetrón en la càmera de buit i la diferència en l'estat de distribució dels pols magnètics i les línies magnètiques, es pot dividir en un magnetó equilibrat i un magnetó desequilibrado (magnetron desequilibrat pot fer que el plasma s'allunyi de la superfície diana per millorar la qualitat de la capa de la pel·lícula superficial i l'efecte de deposició d'ions de gran superfície de la peça perfilada.) El sistema magnètic d'espurneig magnètic del camp magnètic tancat multi-objectiu pot obtenir una alta taxa de deposició i una pel·lícula prima de major qualitat .
(3) El camp magnètic desequilibrat de l'objectiu magnetron sputtering es pot obtenir no només per canviar la mida i la força dels imants permanents interns i externs, sinó també per dos conjunts de bobines electromagnètiques, o utilitzar una estructura mixta de bobines electromagnètiques i permanent imants i també afegiu solenoides addicionals entre el càtode i el substrat per canviar el camp magnètic entre el càtode i el substrat i controlar la relació dels ions i àtoms positius en la deposició per obtenir els millors resultats.


