Revestiment de deposició de polvorització

Deposició de polvoritzaciórevestiment

Quan les partícules d'alta energia són bombardejades a la superfície sòlida, les partícules de la superfície sòlida poden obtenir energia i escapar-se de la superfície i dipositar-se sobre el substrat. El fenomen de la polvorització va començar a utilitzar-se en la tecnologia de recobriment el 1870 i, després del 1930, es va utilitzar gradualment en la producció industrial a causa de l'augment de la taxa de deposició. Normalment, el material a dipositar es converteix en una placa─ un objectiu─ i fixat al càtode. El substrat es col·loca a l’ànode directament oposat a l’objectiu, a uns centímetres de distància de l’objectiu. Després que el sistema es bombi a un alt buit, s'omple un gas de 10 ~ 1 Pa (generalment argó) i s'apliquen diversos milers de volts entre el càtode i l'ànode per produir una descàrrega de resplendor entre els pols. Els ions positius produïts per la descàrrega volen cap al càtode sota l’acció del camp elèctric i xoquen amb els àtoms de la superfície objectiu. Els àtoms objectiu que s’escapen de la superfície objectiu per la col·lisió s’anomenen àtoms de polvorització, l’energia dels quals oscil·la entre 1 i dotzenes d’electrons volts. Els àtoms de polvorització es dipositen a la superfície del substrat per formar una pel·lícula. A diferència del recobriment per evaporació, el recobriment per aspersió no està limitat pel punt de fusió del material de la pel·lícula i pot escampar W, Ta, C, Mo, WC, TiC i altres materials refractaris. La membrana composta de polvorització es pot utilitzar mitjançant un mètode reactiu de polvorització, en el qual el gas de reacció (O, N, HS, CH, etc.) s’afegeix al gas Ar i el gas de reacció i els seus ions reaccionen amb els àtoms diana o els àtoms de polvorització. generen compostos (com òxids, nitrurs, etc.), que es dipositen sobre el substrat. Es pot utilitzar una polvorització d'alta freqüència per dipositar la pel·lícula aïllant. El substrat es munta a l'elèctrode a terra i el blanc aïllant es munta a l'elèctrode oposat. Un extrem de la font d’alimentació HF està connectat a terra i l’altre extrem està connectat a un elèctrode equipat amb un objectiu aïllat mitjançant una xarxa coincident i la capacitat de corrent continu aïllada. Després d’encendre la font d’alimentació d’alta freqüència, la tensió d’alta freqüència canvia constantment de polaritat. Els electrons i els ions positius del plasma afecten l'objectiu aïllant a la meitat positiva i negativa de la tensió, respectivament. Com que la mobilitat d’electrons és superior a la dels ions positius, la superfície objectiu aïllant està carregada negativament. Quan s’assoleix l’equilibri dinàmic, l’objectiu es troba en un potencial de biaix negatiu, de manera que continua la fumigació dels ions positius a l’objectiu. L’ús de polvorització de magnetrons pot augmentar la velocitat de deposició en gairebé un ordre de magnitud en comparació amb la polvorització sense magnetrons.

Empresa IKS PVD, màquina de recobriment decoratiu, màquina de recobriment d’eines, màquina de recobriment òptic, línia de recobriment al buit PVD, el projecte clau en mà està disponible. Contacteu-nos ara, envieu-nos un correu electrònic: iks.pvd@foxmail.com