Descriviu la diferència entre el xoc de buit i el recobriment d'aigua

Descriviu la diferència entre el xoc de buit i el recobriment d'aigua

Si algú us pregunta, què és galvanoplàstia? Que diries? Alguns diuen que es tracta d'un plating d'aigua, alguns diuen el buidatge al buit. Quin és el correcte? De fet, "galvanització" significa coses diferents en diferents indústries. Per exemple, en l'actual indústria de la telefonia mòbil, hi ha poques aplicacions d'electro galvanització per aigua. En la mentalitat de moltes persones, el galvanoplàstia generalment es refereix al buidat al buit, mentre que a la indústria sanitària, l'electroplacatge d'aigua s'aplica àmpliament, per descomptat, l'electroplacament comú es refereix a l'electroplacatge d'aigua. Tant l'electrohidratació d'aigua com la buidatge són de pel·lícula galvanoplàstia. Comencem per la classificació del film de recobriment, i observem la diferència entre els diferents tipus de recobriment.

Els productes d'electrodeposició es classifiquen de la manera següent:

1. Mètode de fase sòlida: ---> canvi químic;

2. Mètode de fase líquida: ---> canvi químic

3. Mètode meteorològic: -> canvis químics i físics

El classificat de la manera següent:

Els mètodes de recobriment més habituals inclouen: revestiment d'aigua, anodització, evaporació al buit, aspersió al buit i ionització.

Revestiment d'aigua:

Paraules clau: dissolució anòdica, fixació de càtodes, reacció electroquímica

El mètode d'electroaglista d'aigua s'utilitza principalment per crear un efecte reflector elevat i augmentar la capa d'adhesió, etc. Els seus avantatges són una gran superfície de revestiment, baix cost, alta toxicitat d'electròlit i gran contaminació industrial.

Línia de revestiment d'aigua

Procés d'oxidació anòdica :

Paraules clau: pel·lícula d'òxid metàl·lic, reacció electroquímica

L'oxidació anòdica també es pot fer en Ta2O2, TiO2, ZrO2, Nb2O5, HfO2, WO3, etc., principalment utilitzats com a pel·lícula decorativa de pel·lícula protectora o de coloració.

Producte anoditzat

L'evaporació al buit també s'anomena evaporació tèrmica

Processar paraules clau: evaporació dissolta en alta temperatura, deposició després de cobrir pel·lícula

Segons els diferents mètodes de calefacció dels materials cinematogràfics, l'evaporació al buit es pot dividir en tipus de calefacció indirecta i tipus de calefacció directa.

1. Tipus de calefacció indirecta: només per a la font d'evaporació, que indirectament provoca que el material de la pel·lícula s'evapori a causa de la calor;

2. Tipus de calefacció directa: utilitza partícules d'alta energia (feix d'electrons, plasma o làser) o d'alta freqüència per escalfar directament el material de la pel·lícula a la font d'evaporació i evaporar-se; *

Per evitar l'evaporació de la font (recipient) juntament amb el material de la pel·lícula, el punt de fusió del material d'origen ha de ser superior al punt d'ebullició del material cinematogràfic.

Principi d'evaporació

Resistència de calefacció i evaporació

El material cinematogràfic és indirectament escalfat per l'energia tèrmica generada pel corrent elèctric que passa per la resistència. El dispositiu és el següent:

Resistència de calefacció i evaporació

Desavantatges de la calefacció de resistència:

1. Cal calentar la font d'evaporació abans de transferir calor al material de la pel·lícula. La font d'evaporació és fàcil d'actuar sobre el material o impureses de plom;

2. La temperatura de calefacció de la font d'evaporació és limitada, i la major part de l'òxid a alt punt de fusió no es pot fondre i evaporar;

3. Velocitat d'evaporació limitada;

4. Si el material de recobriment és un compost, pot descompondre's;

5. La pel·lícula no és dura, amb baixa densitat i mala adhesió.

Recobriment de polvorització

Paraules clau: gas inert ionitzat, bombardeig objectiu, peeling objectiu, deposició, refrigeració, formació de pel·lícules

El principi de la màquina de recobriment de polvorització és la cavitat que bombeja l'aire a l'estat del buit, directament pel material de la membrana (blanc) com a elèctrodes, utilitzant elèctrodes, vegeu electricitat 5 kv ~ 15 kv bombardeig de plasma del material objectiu, ventilació amb gas al mateix temps, ionització de gas, les partícules mòbils dins del plasma, el material objectiu de l'impacte iònic i els àtoms de material dels quals es dipositen sobre la superfície del substrat, refrigerant el condensat en una pel·lícula.

Deposició de pols de Magnetron

L'estructura de l'elèctrode es millora basant-se en un polsador de freqüència de la radiodifusió de corrent continu, és a dir, un imant permanent està disposat en el costat intern del càtode, i el camp magnètic és perpendicular a la direcció del camp elèctric a la zona fosca, de manera que com per restringir el funcionament de partícules carregades amb camp magnètic. Aquest mètode de polvorització s'anomena espremit magnetron .

Diagrama esquemàtic d'espurneig de Magnetron

Com que la força del camp magnètic és perpendicular a la direcció dels electrons, es formarà la força centrípeta de la ciclogénesis electrònica. En aquest moment, s'incrementa la probabilitat de col·lisió entre espècies neutres i es poden fer pel·lícules primes a baixa pressió.

A més de baixa pressió, els altres dos avantatges de l'espurneig de magnetó són d'alta velocitat i baixa temperatura.

Però el magnetron sputtering també té alguns problemes, com per exemple el elèctrode de control magnètic de control magnètic pla, el material objectiu central i perifèric no és perpendicular al component de camp magnètic de la central elèctrica cada vegada més petit, és a dir, paral·lel a la superfície del camp magnètic objectiu El component és petit, en una superfície circular de la superfície del material objectiu, amb una velocitat inusualment ràpida, mentre que el polsador central i el polsador són menys, de manera que es tractarà d'una vall erosional en forma de "w", reduirà la velocitat d'utilització del material objectiu i pot afectar la uniformitat cinematogràfica.

Principi de revestiment d'ions

Revestiment d'ions

Paraules clau: descàrrega de gasos al buit, objectiu de dissociació, material base de bombardeig

El principi principal és dissociar el material cinematogràfic en un estat iònic utilitzant el fenomen de descàrrega de gasos i després dipositar-lo sobre el substrat.

El sistema de galvanització bàsica per al plating iònic és el sistema PVD, que només afegeix gasos reactius per reaccionar amb el material de la pel·lícula després de l'evaporació i després es diposita sobre el substrat per formar compostos. Per tant, la composició del recobriment del film és diferent del material original de la pel·lícula, i és un compost del material base.

El revestiment d'ions consisteix bàsicament en tres passos:

1. Transformació d'àtoms sòlids en àtoms gasosos: diverses fonts d'evaporació i diversos mecanismes de polvorització poden evaporar al buit per assolir aquest propòsit;

2. Gireu els àtoms gaseosos als estats iònics per augmentar el grau d'ionització de la matèria primera (normalment fins a 1) . Diversos elements iònics es poden utilitzar per transferir energia als àtoms de matèria primera per aconseguir el grau d'ionització al principi;

3. Augmentar l'energia del material iònic per millorar la qualitat de la pel·lícula: es pot aconseguir la capacitat d'acceleració dels ions afegint biaix negatiu adequat .

Les característiques del plating iònic són les següents:

1. El plating iònic es pot realitzar a una temperatura més baixa de 600 graus;

2. Bona adhesió;

3. Bona energia atòmica cargada de difracció aconsegueix tota la superfície bàsica i diposita el recobriment;

4. La velocitat de deposició és ràpida, arribant a 1 ~ 5um, mentre que la velocitat de polvorització de la placa secundària és només de 0.01 ~ 1.0um / min;

5. La propietat de processament i la selectivitat dels materials de pel·lícula prima són amplis. A més dels metalls, es poden processar ceràmiques, vidres i plàstics.

PVD tres categories de característiques tècniques de comparació

A dalt és el simple pentinat del procés de recobriment comú. Si voleu compartir continguts més interessants, podeu deixar un missatge al final de l'article.

IKS PVD ha personalitzat la màquina adequada de recobriment de buit PVD per a vostè, contacteu amb nosaltres ara.

iks.pvd@foxmail.com